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0. 概述
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上海微电子装备（集团）股份有限公司（Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd., 简称SMEE）是中国大陆半导体装备制造商，主要生产半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务[1]。
| 公司类型 | 上市公司 |
|---|---|
| 成立 | 2002年 |
| 总部 |  中华人民共和国上海市浦东新区张东路1525号 |
| 产业 | 半导体产业 |
| 产品 | 半导体 光刻系统 |
| 母公司 | SASAC (32%)[1]【国务院国有资产监督管理委员会】 |
| 网站 | www.smee.com.cn |
1. 公司历史 | Company history
SMEE was established in 2002 by He Rongming, a former vice president at Shanghai Electric. It was originally a lithography machine technology research project under the 863 Program. After a few years of research, SMEE rolled out the first domestically made lithography machine for commercial use.[1][2]
【参考译文】上海微电子装备（集团）有限公司（SMEE）由前上海电气副总裁何荣明于2002年创立。该公司最初是863计划下的一个光刻机技术研究项目。经过几年的研发，SMEE推出了第一台国产商用光刻机。[1][2]
In December 2017, SMEE signed a contract with CSC Financial to prepare it to become a public company. During the process, SMEE acquired funding from investors such as China Everbright Limited. There was a change in the management team afterwards leading He to leave SMEE in early 2018.[2]
【参考译文】2017年12月，SMEE与中信建投证券签署协议，为其上市做准备。在此过程中，SMEE获得了包括中国光大控股有限公司在内的投资者的资金支持。随后管理层发生了变化，导致何荣明于2018年初离开SMEE。[2]
2018年，上海微电子装备所能投产的光刻机制程为90nm[2]，后于有传闻更精良的28nm光刻机制程据闻将于2021年首季投入使用[3][4][5]，但亦未确定28nm机型的量产能力，由于过去未如外国厂商集合商业联盟进行联合开发，在科研单位与业界支持力道不足下，因而销售市占主要仅在中低端光刻机与相关设备[6][7]，但随着美国向中国大陆禁运光刻机，中国国产光刻机的发展被广受关注[8]。
但2021年国产DUV并没有问世，据《第一财经》报导，近日发布的《中国集成电路产业人才发展报告（2020-2021年版）》显示中国大陆半导体人才短缺高达20余万人，中国大陆半导体产业的情况并不乐观[9]。
2022年7月7日，上海微电子举行了首台2.5D/3D先进封装光刻机的交付仪式，但该机器是用于芯片下游制造的先进封装光刻机，并非此前关注的用于芯片上游制造的光罩光刻机[10]。但涉及中低端装备、材料、检测的国产化进度可期，不少必要的下游合作同行，也正在逐渐攻克国产产业链[11]。现今，上海微电子装备生产的先进封装光刻机在中国大陆的市占率达80%，海外市占率达40%[10]。
到了2023年5月开始，不少网络消息声称更精良的首部先进光刻机研制终于进入尾声，编号为＂SSA/800-10W＂，据闻最快将于2023年末组装[12][13][14]，但是并没有更多证据流出，直到后来上海张江集团的一篇文章出台确认此机器为真，该相关企业为公司第四大股东与国有企业之一，表示上海微电已经开发出了中国首家28nm技术，但报导很快遭到修改。[15][16]
2024年9月，一款“氟化氩光刻机”，出现在重大技术装备推广应用指导目录，初代样机可能准备要进入下游厂商开始试验反馈，不过中国官方与厂商没有宣布进一步消息，良率也未知，但已经引发网民振奋，不过业内人士称数据上采用193nm光源，65纳米以下分辨率，套刻能力8nm（非多重光刻[17][18]）的光刻机，暂时还没有可能实现先进工艺[19][20]。从业多年的前台积电工程师吴梓豪指出，根据从业者那边知道的内情研判，大致上略弱于15年前的DUV干式光刻机“TWINSCAN XT 1450”，代入角分辨率公式测算仪器NA值只有0.75左右，离38nm以下精密度的机型是还有一定的差距的，光源功率不足，使得大规模量产更是不切实际，不过这是134nm浸润式光刻的基础，加上在制程配合试错，可以考虑从65nm这个节点开始加速追赶[21]，唯文章已经被撤下。半导体产业方面智库表示，应该减少短期宣传，例如反观日本尼康睽违二十年，用了本土的技术真正做出了全日系的浸润式机台“NSR-S636E”，但几乎没有大张旗鼓宣扬，有国产的机器跟拿来制造是两回事，毕竟厂家明白包含气泡产生、温度影响密度与流体稳定对光折射等等技术难点都没解决，从试产到能商业化量产的地步，过程一定是沉稳且漫长的[22][23]。电子行业分析师刘翔认为半导体太烧钱，补贴投入只是杯水车薪，需要着重经营模式投资才能获取长久效益，先专注成熟节点做到盈利反哺研发，是比较可行的选择[24]，经济分析师杨应超在世界周报节目中称，虽然客户中芯有比较先进可以参考的进口技术经验，加上国产光刻机终于开始测试，但中国大陆须走过45nm、32nm等等8个世代的这个差距是绕不开的[25]，而预期到迭代出全国产28纳米节点的程度，最快至少也是5年起跳，可能要到2030年代[26][27]。
2. 产品历史 | Product history
Prior to 2023, SMEE’s most advanced product for manufacturing front-end semiconductor chips was the SSA600, which has a scanning resolution that is capable of fabricating 90 nm-class integrated circuit silicon chips. The SSA600 series machines has been described by observers as an immersion deep ultraviolet lithography tool which features an argon fluoride (ArF) excimer laser emitting coherent ultraviolet light at a wavelength of 193 nm.[3]
【参考译文】截至2023年，SMEE（上海微电子装备（集团）有限公司）用于制造前端半导体芯片的最先进产品是SSA600，其扫描分辨率能够制造90纳米级的集成电路硅片。观察者称，SSA600系列机器是一种沉浸式深紫外光刻工具，其特点在于采用氟化氩（ArF）准分子激光器，发射波长为193纳米的相干紫外光。[3]
2.1 SSA800x（2023年12月） | SSA800x (December 2023)
In December 2023, western media reported that SMEE has completed the initial development of its new SSA800-10W immersion lithography machine which has a scanning resolution capable of fabricating 28 nm-process class chips. Instances of the new machine may have been delivered to manufacturers such as SMIC and to research institutes.[4][5] SSA800 continues to use ArF laser as its light source but also includes better tools and components which enable manufacturers to fashion circuit features associated with 28 nm-process technology.[3] Western media reported that SSA800 is designed so that none of its components include intellectual properties that originate in the United States .[3] Some analysts suggest that it is likely the Chinese government had asked SMEE to benchmark its new 28 nm-capable DUV immersion system against the similar ASML NXT:2000i system and that SSA800 is part of a fully domestic production line which is currently undergoing test production and certification.[6] As of early 2024, SMEE’s website does not yet include the new SSA800 lithography machine in its product list section.
【参考译文】2023年12月，西方媒体报道称，SMEE（上海微电子装备（集团）有限公司）已完成其新型SSA800-10W沉浸式光刻机的初步研发，该光刻机具有能够制造28纳米工艺级别芯片的扫描分辨率。新机器可能已交付给中芯国际等制造商以及研究机构。[4][5]SSA800继续采用氟化氩（ArF）激光器作为光源，但还包括更好的工具和组件，使制造商能够制造出与28纳米工艺技术相关的电路特征。[3]西方媒体报道称，SSA800的设计确保没有任何组件包含源自美国的知识产权。[3]一些分析人士认为，很可能是中国政府要求SMEE将其新的28纳米级深紫外（DUV）沉浸式系统与类似的ASML NXT:2000i系统进行对比，而SSA800是正在进行试生产和认证的完全国产生产线的一部分。[6]截至2024年初，SMEE的网站上尚未在其产品列表部分包含新型SSA800光刻机。
In the future, a version of the SSA800 may be employed on processes below the 28 nm node via multi-patterning; generally, photolithography techniques developed in the field of multiple patterning allow immersion lithography machines using an ArF laser light source to fashion integrated circuits features associated with technologies as advanced as 7 nm or even 5 nm processes. For example, in 2016, media reports implied that Intel‘s then new 10 nm-process employed immersion DUV machines in combination with self-aligned double patterning techniques to achieve the desired circuit feature size, rather than using the latest EUV photolithography technology.[7]
【参考译文】未来，SSA800的某个版本可能会通过多重图案化技术应用于28纳米节点以下的工艺；通常，多重图案化领域开发的光刻技术使得使用氟化氩（ArF）激光光源的沉浸式光刻机能够制造出与7纳米甚至5纳米工艺等先进技术相关的集成电路特征。例如，2016年，有媒体报道暗示，英特尔当时的新10纳米工艺采用了沉浸式深紫外（DUV）机器与自对准双重图案化技术相结合，以实现所需的电路特征尺寸，而不是使用最新的极紫外（EUV）光刻技术。[7]
SMEE’s SSA800 machine lags photolithography industry leader ASML Holding in time: ASML first delivered 28 nm-capable machines to TSMC in 2011.[3]
【参考译文】在时间方面，SMEE的SSA800机器落后于光刻行业领导者ASML控股：ASML在2011年首次向台积电交付了具备28纳米工艺能力的机器。[3]
2.2 2023年之前的产品组合 | Pre-2023 product mix
Prior to the introduction of the SSA800 scanner series in 2023, SMEE had developed a range of lithography, metrology, and derivative equipment, including four series of machines for the manufacture of front-end integrated circuits (such as the SSA600 series scanners), back-end IC packaging, LEDs, MEMS, IC power devices, and TFTs.[2]
【参考译文】在2023年推出SSA800扫描仪系列之前，SMEE已经开发了一系列光刻、计量和衍生设备，包括用于制造前端集成电路（如SSA600系列扫描仪）、后端IC封装、LED、微机电系统（MEMS）、IC功率器件和薄膜晶体管（TFT）的四类机器。[2]
2.3 极紫外光刻 | EUV lithography
In 2024, SMEE filed a patent for an EUV lithography scanner to manufacture advanced chips, which is currently only produced by Netherland’s ASML[8]; some observers suggest that there may be up to three separate current efforts within China, involving private, state, and educational institutions other than SMEE, to develop and deliver a prototype Chinese EUV lithography scanner in the next few years.[6] The key driver in the development of advanced Chinese lithography equipment appears to be a government-backed effort to stengthen public-private collaboration in order to enhance innovation; in particular, the state seeks to overcome developmental bottlenecks by easing the transfer of advanced state-backed R&D to designated private-sector companies such as SMEE.[9]
【参考译文】2024年，SMEE（上海微电子装备（集团）有限公司）为制造先进芯片的极紫外光刻扫描仪申请了专利，而该设备目前仅由荷兰的ASML公司生产[8]；一些观察者认为，中国可能有多达三个独立的当前努力方向，除了SMEE之外，还涉及私人机构、国立机构和教育机构，以在未来几年内开发和交付中国极紫外光刻扫描仪的原型。中国先进光刻设备发展的主要驱动力似乎是政府支持的努力，旨在加强公私合作，以增强创新能力；特别是，国家试图通过促进先进国家支持研发的成果向指定私营企业（如SMEE）的转让，来克服发展瓶颈。[9]
参见、参考文献、外部链接
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